Vishay将携最新元件亮相Techno-Frontier 2013-资讯石英晶振
在Techno-Frontier 2013上,Vish加香机ay Siliconix将展示在4.5V栅极驱动下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET Gen IV MOSFET;PowerPAK SO-8L和8x8L封装的50W前大灯LED驱动;优化了热性能和电性能的PowerPAIR器件。重点推出功率IC包括采用3mm x 3mm DFN抄数机10封装的28V可编程、受保护的智能负载开关,5mm x 5mm封装的高密度60A功率级;3 mm x 3 mm QFN-16封装的高效16V microBUCK稳压器。
Vishay Semiconductors将展示各种二极管,包括采用SMPD封装的45V~120V TMBS? Trench MOS势垒肖特基整流器;用于电动汽车、UPS和太阳能逆变器的第二代 650V FRED Pt Ultrafast二极管;FRED Pt 超快恢复整流器。另外,Vishay Semiconductors将在显著位置展示SurfLight高功率红外表面发射器等光电子产品,带有数字输出的全集成接近传感器,以及1mA和5mA输入电流的光耦。
Vishay的无源元件包括该公司各种各样的最新电容器、电阻和电感美式插座器。重点展示的电阻包括具有高功率密度和可在+275℃高温恶劣环境下使用的Vishay Dale Power Metal Strip?电阻,以及用于功率计和电池管理应用的高电流Power Metal Strip分流电阻。
特色电容器包括具有业内最小外形尺寸的Vishay Sprague Micro Tan汽车级固钽片式电容器;Vishay ESTA功率电子电容器;Vishay Vitramon通过安全认证的多层陶瓷片式电容器(MLCC)。Vishay Dale将展出面向汽车应用的薄型、高供电电缆电流IHLP?器件,用于桌面电脑和服务器的高温通孔电感器等电感器产品。
另外,Vishay将在Techno-Frontie建筑模板r 2013的展位进行两项演示。Vi消防车shay Siliconix将演示用600V和650V的E系列功率MOSFET来提高效率。Vishay Semiconductors将演示一个采用低正向电压和快速开启时间的TMBS整流器,以及具有高阻抗并能减小信号损失的低CJ TVS器件的系统。
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